Samsung создала мобильную DRAM с рекордной плотностью 8 Гбит

Компания Samsung Electronics Co., Ltd. объявила о разработке первого в индустрии чипа мобильной памяти LPDDR4 DRAM объёмом 8 Гбит, который отличается низким энергопотреблением, а также рекордными в своём классе плотностью и производительностью.



Созданная мобильная DRAM изготовлена с соблюдением 20-нм технологических норм, позволивших разместить на одном кристалле 1 Гбайт оперативной памяти. Чип с фирменным интерфейсом ввода/вывода LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) характеризуется высокой пропускной способностью на один вывод, достигающей 3200 Мбит/с. Это в два раза выше показателей представленных на рынке 20-нм микросхем LPDDR3 DRAM, к тому же, новинка потребляет до 40% меньше энергии.

Четыре кристалла плотностью 8 Гбит могут быть объединены в одном корпусе. По заявлению производителя, модули оперативной памяти объёмом 4 Гбайт являются идеальным решением для мобильных устройств нового поколения, включая смартфоны с большими UHD-экранами, планшеты и ультратонкие ноутбуки со сверхвысоким разрешением дисплея.

Массовое производство мобильной памяти LPDDR4 DRAM от Samsung начнётся в 2014 году.

Источник: http://www.thg.ru/technews/20131230_111607.html