Samsung приступает к массовому производству оперативной памяти DDR4

Корпорация Samsung объявила о начале массового выпуска модулей оперативной памяти DDR4 для будущих дата-центров. Спрос на DDR четвертого поколения со стороны поставщиков серверных решений можно было легко предвидеть. Через год-другой после появления DDR4 в составе серверов память данного типа станет элементом высокопроизводительных потребительских систем.



Подробностей о новом ОЗУ от Samsung немного: планки на основе 4-гигабитных микросхем изготавливаются по 20-нм техпроцессу. Объем предлагаемых модулей — 16 и 32 ГБ. Память Samsung DDR4 будет работать на эффективной частоте 2667 МГц при напряжении 1,25 В, таким образом сочетая в себе высокую производительность и малое энергопотребление.

В свою очередь, компания G.Skill расскажет о планах по внедрению DDR4 в рамках очередного Intel Developer Forum. Напомним, мероприятие IDF13 пройдет 10—12 сентября в городе Сан-Франциско.



Параллельно тайваньцы продемонстрируют разгонный потенциал четырехканальных комплектов оперативной памяти DDR3 для платформы LGA2011, в частности для новых и старых процессоров Intel Core i7 (Ivy Bridge-E и Sandy Bridge-E соответственно).

Источник: http://www.overclockers.ua/news/hardware/2013-08-30/111941/